Samsung Electronics y AMD firmaron el miércoles un memorando de entendimiento para ampliar su colaboración en el ámbito crítico de la memoria para infraestructuras de inteligencia artificial, y explorar la potencial cooperación en la fabricación de chips.
Según la declaración de ambas partes, Samsung proporcionará la próxima generación de memoria de alta capacidad HBM4 para el acelerador Instinct MI455X de AMD, y ofrecerá soluciones de memoria DDR5 optimizadas para su procesador EPYC de sexta generación.
Este acuerdo consolida aún más la posición de Samsung en la cadena de suministro de HBM. Anteriormente, la empresa ya había suministrado chips HBM3E para los aceleradores AMD MI350X y MI355X.
Ambas partes también indicaron que evaluarán la posibilidad de que Samsung ofrezca servicios de fabricación de obleas para los productos de próxima generación de AMD, mostrando que la colaboración se está expandiendo desde el suministro de memoria a un ámbito más amplio de fabricación de semiconductores.
El anuncio coincide con la celebración de la conferencia anual para desarrolladores GTC de NVIDIA. Durante el evento, el CEO de NVIDIA, Jensen Huang, también destacó su colaboración con Samsung en el ámbito de HBM4 y la fabricación de chips.
